導讀：三星宣布其研究團隊在存儲技術領域取得重大突破，成功開發出一種新型 NAND 閃存結構，可將功耗降低逾 90%。
11 月 27 日消息，三星宣布其研究團隊在存儲技術領域取得重大突破，成功開發出一種新型 NAND 閃存結構，可將功耗降低逾 90%。該成果有望重塑人工智能數據中心、移動設備及其他依賴存儲芯片的終端產品的未來。
據 ETNews 報道，三星先進技術研究院（SAIT）主導研發了這一超低功耗 NAND 閃存技術。該新型結構創新性地融合了鐵電材料與氧化物半導體，相關研究成果已發表于全球頂尖的多學科科學期刊《自然》（Nature）。
據了解，NAND 閃存是一種非易失性存儲介質，即使斷電亦可長期保存大量數據，其工作原理是通過向存儲單元注入電子實現數據寫入。為提升存儲密度，業界普遍采用堆疊更多存儲層的方式構建芯片，但這同時也顯著增加了數據讀寫過程中的能耗，尤其在大規模數據中心場景中，功耗問題已成為亟待解決的關鍵瓶頸。
而三星研究團隊成功攻克了這一難題。氧化物半導體因閾值電壓不穩定而難以控制，過往被視為技術障礙；然而，研究團隊另辟蹊徑，將其與鐵電結構協同設計，變“劣勢”為優勢：鐵電材料具備自維持電極化特性，無需持續供電即可保持狀態。
得益于此項創新設計，新架構實現了高達 96% 的功耗降幅。三星表示，該突破完全依托其內部自主研發，由三星電子 SAIT 與半導體研究所共計 34 名研究人員共同完成。
“我們已驗證了實現超低功耗 NAND 閃存的可行性。”三星電子 SAIT 研究員、本研究第一作者 Yoo Si-jeong 表示，“在 AI 生態系統中，存儲器的角色日益關鍵。未來我們將持續推進后續研究，目標是實現該技術的商業化落地。”
與此同時，三星正著力提升其存儲業務盈利能力。面對 DDR5、LPDDR5X 及 GDDR7 等 DRAM 產品需求持續攀升及價格上漲的市場環境，公司將重點優化高附加值產品的供應策略，以強化盈利結構。
