導讀：全球半導體存儲解決方案領導廠商華邦電子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM。
2025年12月3日，中國蘇州— 全球半導體存儲解決方案領導廠商華邦電子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM，該產品采用華邦自有先進 16nm 制程技術，提供更高速度、更低功耗及更具成本效益的解決方案，適用于電視、服務器、網通設備、工業計算機及嵌入式應用等多元市場。
盡管 DDR5 逐漸普及，許多產業仍依賴 DDR4 穩定成熟的生態系統。華邦全新的 8Gb DDR4 DRAM 專為這些客戶設計，讓他們在維持既有架構的同時，仍能享有更快的數據傳輸速度與更強的系統競爭力。
憑借先進的 16nm 制程，華邦新一代 DDR4 產品實現顯著效能提升。相較前一代技術，16nm 制程節點具備更小晶粒尺寸、更高晶圓產出率與更佳功耗效率，使客戶能在不增加封裝尺寸的情況下整合更高容量的 DRAM。同時，制程優化提升了信號完整性并降低漏電率，確保在高達 3600Mbps 的數據速率下仍能穩定運作。這種兼具高速、低成本與高制程成熟度的設計，使華邦 16nm DDR4 成為產品生命周期長的工業與嵌入式應用的理想選擇。
作為業界首款支持 3600Mbps 傳輸速率的產品，華邦全新的 8Gb DDR4 DRAM超越既有DDR4標準，滿足高速運算應用的數據處理需求。借助華邦 16nm 技術優勢，更小的芯片面積在相同封裝下提供更大容量，進一步降低整體系統成本。
華邦具備涵蓋設計、16nm 制程開發到制造的完整自有能力，為工業級與 KGD（Known Good Die，良品裸晶圓）客戶提供穩定的供應鏈與專業售后支持。
華邦表示:“DDR4仍是眾多市場的重要技術，我們全新的 8Gb DDR4 解決方案讓客戶能在成熟的生態系統中獲得更高性能與更佳效率。通過將 16nm 制程的技術能力與高速特性相結合，華邦助力客戶在滿足嚴苛運算需求的同時，降低系統總成本。”
華邦 16nm 制程節點在 DDR4 制造成熟度上樹立新標桿，兼具速度、可擴展性與效率，特別適用于壽命較長的應用。基于此平臺，華邦目前正開發三款同制程產品，包括 CUBE、8Gb LPDDR4 及 16Gb DDR4，進一步擴展其新一代內存產品版圖。
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https://www.winbond.com/hq/product/customized-memory-solution/ddr-sdr/?__locale=zh
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華邦電子為全球少數同時擁有內存及邏輯集成電路的自有產品及技術的公司，主要業務包含產品設計、技術研發、晶圓制造及自有品牌的全球營銷，致力于為全球客戶提供全方位的集成電路產品及解決方案服務。華邦電子產品包含編碼型閃存、TrustME? 安全閃存和客制化內存解決方案，并提供多樣化的邏輯集成電路產品及解決方案，廣泛應用于通訊、消費電子、工業及車用電子、計算機周邊等領域。華邦電子總部位于中國臺灣中部科學園區，在中國大陸及香港地區、美國、日本、德國、印度、韓國、新加坡、以色列等地均設有子公司及服務點。華邦在中國臺灣設有兩座12英寸晶圓廠，分別位于臺中與高雄，未來將持續導入自行開發的制程技術，為合作伙伴提供高質量的集成電路產品及服務。
